Commissariat à l'Énergie Atomique
Job title:
Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d’électronique de puissanc
Company:
Commissariat à l’Énergie Atomique
Job description
Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l’économie et de l’Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s’engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l’Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d’un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l’international.Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
- La conscience des responsabilités
- La coopération
- La curiosité
Référence 2025-35552Description du posteDomaineTechnologies micro et nanoContratPost-doctoratIntitulé de l’offreComparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d’électronique de puissancSujet de stageComparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d’électronique de puissance H/F.Durée du contrat (en mois)24Description de l’offreRejoignez le CEA-Leti et participez aux développements des technologies d’avenir qui transformeront les systèmes d’électronique de puissance de demain. Collaborez avec des équipes pluridisciplinaires, de l’ingénierie des matériaux à la simulation des dispositifs, en passant par la fabrication et la caractérisation physique, jusqu’au développement complet des systèmes de puissance.Ce projet porte sur l’étude de la viabilité des technologies de composant de puissance émergeantes à base de diamant et de GaN. Vous aurez pour tâche ambitieuse d’évaluer dans quelle mesure ces nouvelles technologies peuvent apporter des améliorations de performance en comparaison des solutions existantes en Si ou SiC, sur une ou plusieurs applications spécifiques.En particulier ce projet a pour objectifs :D’identifier une ou plusieurs applications sur lesquelles les technologies GaN vertical et diamant sont susceptibles d’apporter des gains significatifs, en considérant le marché actuel et/ou projeté de ces applications. * De comparer au moyen de simulation TCAD et SPICE, ainsi que de mesuresexpérimentales de dispositifs de test, les performances estimées de composants Diamant et GaN industrialisables, dimensionnés pour ces applications, en comparaison du SiC et Si. * De proposer une roadmap pour le développement de ces technologies.Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :
- Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de
développement industriel, * Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
- Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
- Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
- Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
- Une politique diversité et inclusion,
- Des restaurants d’entreprise,
- Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
- Une épargne abondée par le CEA
Profil du candidatVous devez avoir obtenu un PhD dans le domaine des semiconducteurs. Une
formation ou expérience dans le domaine de la physique des semiconducteurs grand gaps et/ou dans l’électronique de puissance est demandée. Également, une expérience avec un logiciel de simulations TCAD ainsi que dans la caractérisation électrique de composants est souhaitée.Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l’intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d’organisation, rejoignez-nous!Localisation du posteSiteGrenobleLocalisation du posteFrance, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)VilleGrenobleCritères candidatDiplôme préparéBac+8 – Doctorat scientifiqueFormation recommandéePhD dans le domaine des semiconducteursPossibilité de poursuite en thèseNonDemandeurDisponibilité du poste02/06/2025
Expected salary
Location
Isère
Job date
Sat, 22 Mar 2025 04:14:04 GMT
To help us track our recruitment effort, please indicate in your email/cover letter where (vacanciesin.eu) you saw this job posting.